Résumé
In this presentation, we revisit some charge-voltage dependences for different architectures of field effect transistor, emphasizing on compactness and simplicity while maintaining a close link with physics, which makes these models predictive and accurate for general purposes of compact modeling.
Détails
Titre
Charge-based modeling of field effect transistors, Make it easy
Auteur(s)
Sallese, Jean-Michel
Publié dans
2021 Joint International Eurosoi Workshop And International Conference On Ultimate Integration On Silicon (Eurosoi-Ulis)
Série
International Conference on Ultimate Integration on Silicon
Présenté à
Joint International EUROSOI Workshop / International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), Sep 01-03, 2021, Caen, FRANCE
Date
2021-01-01
Editeur
New York, IEEE
ISSN
2330-5738
2472-9132
2472-9132
ISBN
978-1-6654-3745-5
Mots-clés (libres)
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
GR-SCI-IEL
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > GR-SCI-IEL - Groupe de scientifiques IEL
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Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2022-05-23